2024年IEEE国际电子器件集会（IEDM）聚焦于塑造将来的半导体技巧。本次集会展现了从传统电子资料到新兴资料范畴的多项技巧冲破，为将来半导体行业的开展供给了主要参考。本文援用地点：自石墨烯电子学出生以来，已有20年的开展汗青。但是，在石墨烯及其余二维资料之前，碳纳米管就曾经进入电子学范畴。只管研讨核心有所转移，但碳纳米管电子学仍在连续获得停顿，尤其是在高机能跟薄膜晶体管的开辟方面。在2024年IEDM年夜会上，北京年夜学、浙江年夜学跟电子科技年夜学的彭练矛、张志勇团队展现了一种基于对齐碳纳米管的场效应晶体管（FET）。该器件的跨导到达了3.7 mS/μm，存在明显的机能上风。研讨团队采取了一种直接成长的栅介电层技巧，可平均地笼罩碳纳米管阵列。杜克年夜学的Aaron Franklin在批评文章中指出，碳纳米管晶体管的开辟面对纯化、定位、钝化跟量产筹备等要害挑衅。只管该研讨未处理量产成绩，但其在纯度、定位跟钝化方面的停顿令人印象深入，展现了碳纳米管技巧的宏大潜力。在传统半导体资料范畴，台湾清华年夜学跟加州年夜学伯克利分校的李胜贤团队展现了一种单片集成技巧。该技巧应用CMOS后端金属互连（BEOL）电容制作微机电体系（MEMS）超声换能器。该技巧将来可能在进步的超声传感跟成像利用中施展主要感化。韩国迷信技巧院的Chaerin Oh跟Hyunjoo Lee在批评中指出，这一技巧冲破为下一代成像装备供给了全新的计划思绪。跟着行业技巧的一直开展，从2010年月初的鳍式场效应晶体管（FinFET）到比年来的全栅绕式构造（Gate-All-Around，GAA），半导体行业的器件缩放步调连续推动。下一步开展的潜伏偏向是单片互补场效应晶体管（CFET）架构，其特色是n型跟p型晶体管的垂直重叠。在IEDM 2024上，台积电（TSMC）的廖珊蒂团队展现了CFET器件制作工艺的最新停顿。他们处理了三个要害成绩：阈值电压调理、垂直金属化漏极部分互连跟背栅打仗计划。这些技巧冲破使得团队胜利制作出了栅极间距仅为48 nm的逆变器。北京年夜学的熊熊跟吴艳清在批评中夸大，这些工艺改良为CFET架构的年夜范围利用奠基了基本。集会还展现了以下要害技巧：台积电跟英特尔的最新全栅绕式CMOS技巧；将液晶空间光调制器与CMOS图像传感器集成的新方式；基于28 nm CMOS平台制作4 Mb嵌入式电阻式存储器的工艺；集成电路热模子的改良；模仿复眼广视场技巧的冲破。2024年IEDM集会以“塑造将来的半导体技巧”为主题，展现了重新兴资料到前沿工艺的普遍研讨停顿。这些技巧的冲破不只推进了半导体行业的连续开展，也为将来装备小型化、机能优化跟新兴利用场景供给了主要指引。 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->